一个被自己公司说成“别人发明”的人

二十世纪九十年代某个时候，东芝的公关部门接到《福布斯》记者的提问，话题是闪存——那种关掉电源、数据也不会消失的存储芯片，当时已经在悄悄改变相机、手机和电脑。记者想知道这东西是谁发明的。东芝的回答是：英特尔2。

这个回答的荒诞之处，要过几年才会让人看懂。因为发明闪存的人，姓舛冈，名富士雄，1971年起就在东芝工作，NOR闪存和NAND闪存这两样东西的核心专利，都署着他的名字，都在东芝的实验室里做出来1。一家公司的公关部门，在被问到自己最重要的发明之一出自谁手时，把功劳推给了竞争对手。

这不是口误。它精确地概括了这一章要讲的事：一个人发明了后来支撑起数千亿美元产业、塞进全世界每一部手机和每一块固态硬盘的东西，他从雇主那里拿到的奖金是几百美元，之后还差点被降职；而当外界问起时，雇主宁可把荣誉送给对手，也不愿提他的名字16。

技术史上“谁发明、谁获利”的断裂，在前面几章已经反复出现。序曲里说过MOSFET的两位发明人阿塔拉和姜大元远没有拿诺奖的肖克利、巴丁、布拉顿出名（第3、5章）；第1章里德福雷斯特造出了放大器却不懂自己造的是什么。但舛冈富士雄的故事比那些都更刺眼，因为错位发生得如此彻底、如此当代，而且当事人还活着，还打了官司，把这件事钉在了法庭记录里。

顺带一提，闪存的种子，其实序曲里已经埋下。姜大元1967年和施敏（Simon Sze）一起发明了浮栅MOSFET——一种栅极被氧化层完全包住、可以“困住”电荷的晶体管。电荷被困在里面，断了电也跑不掉，这就是一切非易失存储的物理基础3。舛冈做的，是把这个原理变成一种便宜到能铺满全世界的产品。

记忆为什么会“忘事”

要理解舛冈解决的是什么问题，得先回到上一章。

第10章讲过记忆的两条腿：DRAM和SRAM。这两样东西有个共同的、要命的毛病——断电就忘。DRAM靠一个个小电容存电荷，电荷几毫秒就漏光，所以要不停刷新；SRAM靠六个晶体管互相锁住一个状态，只要电一直供着就记得住，电一断，状态立刻塌掉。它们都是“易失”（volatile）存储。你电脑跑着的程序、打开的网页，全在DRAM里；一旦停电，全没。

可计算机还需要另一种记忆：关了机也得记住的东西。开机要加载的程序、相机里拍下的照片、手机里存的通讯录——这些不能一断电就消失。

早期解决这个问题的器件，是ROM和它的几个变种。最早的ROM在出厂时就把内容“烧死”，再也改不了。后来有了EPROM——德福雷斯特式的工程直觉在这里又出现了一次，它由英特尔的多夫·弗罗曼（Dov Frohman）在1971年发明，能擦能写，但擦除的办法极其原始：把芯片从电路板上拔下来，对着芯片顶上那个石英小窗口，用紫外线灯照上二十分钟4。很多老工程师都记得那个带石英窗的陶瓷封装，照完了还得拿不透明的小贴纸把窗口糊上，免得日光把数据慢慢擦掉。

再后来是EEPROM，“E”是electrically，电可擦。不用紫外灯了，通上电就能擦。这是一大进步，但代价沉重：EEPROM为了实现按单个字节擦写，每一个存储单元要用两个晶体管。两个晶体管意味着每一比特占的硅面积大、成本高5。在一个按面积卖钱、按摩尔定律（第7章）逐年压缩面积的行业里，“每比特两个晶体管”这件事，就是天花板。

舛冈盯上的，正是这个数字。

工厂管理者的“半秘密项目”

舛冈富士雄1943年5月8日生于群马县高崎市，1966年从东北大学拿到工学学士，1971年拿到博士，同年进东芝。他不是一进公司就做闪存的。早年他先搞出了一种叫SAMOS的堆叠栅雪崩注入存储器——已经是后来闪存的雏形；1976年做双层多晶硅结构的DRAM；1977年转到半导体业务部门，做出过1Mb DRAM6。这是一个在存储这条路上摸爬滚打了快十年的人，他对“每比特占多大面积、值多少钱”这件事，有着近乎本能的敏感。

闪存的核心专利，是他1980年和同事饭塚肇（Hisakazu Iizuka）一起申请的7。出发点很朴素：当时的EEPROM擦得太慢，他们想做一种擦得快的非易失存储。但舛冈真正的洞见，藏在一个看起来微不足道的取舍里——他决定不要EEPROM那种“按单字节擦”的奢侈功能，改成整片或整块一次性擦除。放弃了单字节擦除，每个存储单元就只需要一个晶体管，而不是两个8。

一个对两个。听上去微小，在一块要塞进千百万个单元的芯片上，这是成本对半砍的差别。舛冈后来对IEEE Spectrum解释他的逻辑时说了一句很工程师的话：“We knew the cost of the chip would keep going down as long as transistors shrank in size.”——只要晶体管继续缩小，芯片成本就会一直降下去8。换句话说，他赌的不是某个时点的性能，而是摩尔定律这条曲线本身。单晶体管单元，是唯一能搭上这条曲线、一路缩到底的方案。

问题是，东芝管理层不感兴趣。

公司的钱和人，那时都压在DRAM上——日本半导体业整个八十年代的黄金时代，主战场就是DRAM，东芝、NEC、日立正把美国人打得节节败退。在这样的大势里，舛冈那个“擦得快、还放弃了单字节功能”的怪东西，没人觉得值得投资源。据IEEE Spectrum的记载，舛冈当时是个工厂的工程管理者，他用一种近乎“半秘密”的方式推进这个项目，手下带着四名工程师；多家叙述还提到，为了把东西做出来，他甚至在夜里和周末，未经东芝许可，自己偷偷做研究9。

一个发明，要靠发明者瞒着公司、占用自己的睡眠时间才能活下来——这本身就说明了组织看走眼的程度。

1984，旧金山，三层多晶硅

1984年12月，IEEE国际电子器件会议（IEDM）在旧金山召开。舛冈在会上发表了一篇题为《A new flash EEPROM cell using triple polysilicon technology》的论文，第一次把这种单晶体管、可整片电擦除的存储单元公之于众。首批做出来的芯片容量小得可怜——8192字节，也就是8KB。但范式已经立住了：每一比特只用一个非易失晶体管，整块一次性擦掉10。

这就是后来所谓的NOR闪存。

“flash”这个名字的来历，配得上它日后的命运——它纯属偶然。整片内容被一次性瞬间抹掉的过程，让舛冈的同事相沢俊治（Shoji Ariizumi）联想到照相机的闪光灯，一闪，全清。他随口提议叫它flash11。这个如今家喻户晓、印在无数U盘和存储卡上的词，不是来自任何技术术语，而是来自一句对相机闪光灯的联想。

这里要替读者把一个常见的含糊处理清楚。IEEE Spectrum的“芯片名人堂”那篇文章，把舛冈1984年的IEDM演示笼统称作“flash”，容易让人以为闪存是1984年一次性诞生的。更准确的脉络是：1984年在旧金山IEDM拿出来的，是NOR；三年后，1987年，同样在旧金山的IEDM，舛冈才发表了NAND闪存，东芝的NAND商业化也在此后展开12。两个东西，两次会议，恰好都在旧金山，容易被叙述揉成一团。

NOR和NAND的差别，决定了它们日后各自的命运，值得花几句话讲明白。

与门、或门，和两种活法

名字来自存储单元的连接方式，借用了逻辑门的叫法（逻辑门是第8、9章的主角）。

NOR闪存，每个存储单元都直接连到位线上，像一排各自独立、各有门牌的房间。好处是可以随机、快速地读取任意一个地址的内容，而且读得快、读得准。代价是单元之间要留出连线和接触孔，密度上不去，每比特贵。NOR适合干什么？适合存那种“要被处理器直接、随机地读出来执行”的东西——比如固件、启动代码。业内有个术语叫XIP（execute in place，就地执行），处理器可以直接从NOR里取指令运行，不必先搬到RAM。你手机和电脑里那段最底层的开机引导程序，传统上就住在NOR里13。

NAND闪存，则把一串单元首尾串联起来，像一长串挂在一根线上的灯泡。这样省掉了大量接触孔，单元挤得极密，每比特便宜得多。代价是没法随机读单个字节——要按页、按块整批地读写擦。NAND读单个地址慢、笨，但论“每平方毫米能塞多少比特、多少钱一GB”，它碾压NOR。所以NAND的归宿，是大容量数据存储：相机的存储卡、U盘、手机里那几百GB空间、数据中心里成排的固态硬盘13。

一句话记住：NOR管“程序怎么跑”，NAND管“数据放哪儿”。 前者要快、要随机、要可靠地就地执行；后者要便宜、要密、要海量。舛冈先做出了NOR（1984），又做出了真正改变世界的NAND（1987）12。而NAND，正是今天那个“盖楼”产业的根——3D NAND、HBM、先进封装，是第23章的主题。

被对手验证之后，自家才回头

1984年舛冈把NOR拿出来了，东芝还是没把它当回事。

真正让闪存变成生意的，是太平洋对岸的英特尔。

英特尔的路子和舛冈不完全一样。它的NOR闪存基于一种叫ETOX的单元——EPROM Tunnel Oxide，EPROM隧穿氧化层。技术源头可以一直追到弗罗曼1971年在英特尔发明的那个EPROM，关键人物是工程师斯特凡·赖（Stefan Lai）。ETOX的思路，用一句话概括就是：把EEPROM那种“装在系统里就能电擦写”的便利，做到接近EPROM的低成本，代价是只能按大块擦、不能按单字节擦——这和舛冈放弃单字节擦除的取舍，殊途同归14。

1988年，在英特尔，一个臭鼬工厂式的小团队发布了首款商用闪存芯片：一颗256kbit的CMOS NOR闪存。价格在今天看来贵得离谱——折合每兆字节大约一千美元的量级。但它是个产品，能买、能用、有市场。英特尔把闪存做成了一门真生意15。

这一下，东芝坐不住了。竞争对手把NOR做成了商业成功，压力就回传到东芝内部。于是出现了这一章最具讽刺意味的一幕：舛冈的发明，先被自家公司雪藏，然后被竞争对手验证，最后竟是因为对手的成功，东芝才在1989年回过头来批准量产舛冈的NAND技术15。

发明在自家诞生，被自家冷落，被对手做火，再被自家因为对手而重新拾起。这个循环里，发明者本人从头到尾站在产业前面，却始终不在产业的中心。

而舛冈拿到了什么？据多家报道（All About Circuits、techovedas等二手源转述，需说明的是这个具体数字缺乏一手档案的精确佐证），他因为这项发明拿到的奖金，是几百美元。之后东芝还曾试图把他降职16。再之后，就是开头那一幕——公关部门对《福布斯》说，闪存是英特尔发明的2。

离开，和一场罕见的官司

1994年，舛冈离开东芝，回到母校东北大学，任固体电子学研究所教授17。

在日本企业文化里，一个为公司创造了核心技术的资深工程师，到了五十出头转身离开，本身已经够刺眼。更刺眼的还在后头。2004年，舛冈把东芝告上了法庭，索要发明补偿18。

这件事在当时的日本是罕见之举。日本大企业讲究终身雇佣、对公司的忠诚，员工发明的专利权益归公司，是默认的规矩，极少有人为此撕破脸打官司。但那几年风向有点变化——2004年前后，日本接连出现几起前员工起诉雇主索要发明对价的案子，最著名的是中村修二告日亚化学的蓝光LED官司（那是第16章的故事）。舛冈的诉讼是同一股潮流里的一朵浪18。

舛冈的主张是：他的发明在1984到2003年间，为东芝带来了约200亿日元的利润，他认为10亿日元（约910万美元）的补偿才算合理19。

2006年7月31日，双方和解。东芝支付的金额是——8700万日元，约75.8万美元20。

不到他要求的十分之一。和解声明用的是那种把一切抹平的措辞：双方“在这些员工发明相关问题上，不再有任何未了结的事项或责任”（no longer any outstanding issues or liabilities between them in respect of these employee’s inventions）20。一桩开创了一个产业的发明，就这样在法律意义上画了句号。

8700万日元，听上去不少。可把它放在舛冈自己估算的200亿日元利润旁边——更别提闪存后来实际创造的、以千亿美元计的全球市场——这个数字与其说是补偿，不如说是一份和解书的封口费。它精确量化了“发明者”和“受益者”之间那道裂缝有多宽。

他还做了另一件超前太多的事

在为闪存不平的故事之外，舛冈身上还有一段几乎被忽略的伏笔，它把这一章和全书最后几章接上了线。

1988年，就在他做出NAND前后，舛冈在东芝领导团队演示了一种叫SGT的东西——Surrounding Gate Transistor，环绕栅晶体管。普通的MOSFET（第5章）是平的：栅极是一块平板，铺在沟道上面，只从一面控制电流。舛冈的SGT把这个结构立了起来，让栅极从四面把沟道整个环绕住，从一圈去控制电流。这是最早的非平面三维晶体管之一21。

懂行的读者读到这里大概已经会心一笑了。栅极从四面包住沟道——这正是几十年后，当晶体管缩到3纳米、2纳米节点、平面栅极再也控不住漏电时，整个行业转向的那个结构：GAA（Gate-All-Around，全环绕栅极）。这条从胡正明的FinFET（把晶体管立起来）一路走到GAA的故事，是第20章的主题。舛冈1988年那个SGT，是这条路线最早的先声之一21。

更说明问题的是后续。舛冈晚年（2004年起）出任一家叫Unisantis Electronics的公司的CTO，继续追这条基于SGT的三维晶体管路线22。也就是说，这个人一生两次走在产业前面——第一次是闪存，提前了好几年；第二次是环绕栅，提前了二三十年。两次他都是先行者，两次他都不在最终收割成果的位置上。这几乎成了他个人命运的一种韵脚。

盖楼时代：三星接过的那一棒

闪存的故事如果停在舛冈这里，会显得过于悲情。但产业不会停，它沿着舛冈当年那句“只要晶体管继续缩小，成本就一直降”的逻辑，一路狂奔，直到把平面缩到了头。

NAND靠把单元越做越小、越挤越密来降成本。可缩到一定程度，单元之间挨得太近，电荷开始互相干扰，数据可靠性下降——平面NAND撞到了自己的墙。这堵墙的破法，和半导体史上别的几堵墙一样，是换维度：既然平面铺不下了，那就往上盖。

2013年8月，三星宣布量产业界第一款三维垂直NAND——3D V-NAND。第一代产品是24层堆叠、128Gbit容量，采用三星自家的3D电荷陷阱（CTF）单元结构；这一代是MLC（每个单元存2比特）——真正的TLC（3比特）V-NAND要等到2014年第二代（32层）才量产。三星给出的数字是：可靠性比当时的10纳米级平面浮栅NAND高出2到10倍，写入性能翻倍23。

这是NAND从“平面铺”转向“垂直盖楼”的起点。今天的旗舰3D NAND已经堆到两三百层。你手机里那块存了几万张照片的存储芯片，本质上是一栋盖了几百层的微观高楼，每一层都铺满了舛冈四十年前那种“一个晶体管一比特”的单元24。这套“盖楼”的工艺，连同HBM的堆叠和先进封装，构成了第23章的内容；而当年逼着东芝回头的英特尔，最终在这场大容量NAND的竞赛里逐渐退场，把战场让给了三星、东芝（后来分拆为铠侠Kioxia）、美光、SK海力士这些专做存储的玩家24。

产业地理的母题，在这里又一次显形。闪存的原理诞生在日本东芝的实验室，第一个商用产品出自美国英特尔，而把它推向极致、做成“盖楼”巨型产业的，是韩国三星和东亚的几家存储厂——发明在一处，量产东移，产能集中24。这条线，和后面讲LCD（第14、15章）、讲LED（第16章）、讲太阳能（第17章）时会看到的轨迹，是同一条。

几百美元，和一栋三百层的楼

回到开头那个画面：东芝公关部门告诉《福布斯》，闪存是英特尔发明的2。

今天我们知道这不对。舛冈富士雄因为闪存，1997年拿了IEEE的Morris N. Liebmann纪念奖，2007年获日本紫绶褒章，2013年成为日本文化功劳者，2016年获瑞宝章金银重光章，2018年拿了本田奖。荣誉迟到，但终究来了。技术史也终于普遍承认他是“闪存之父”25。

可这些荣誉，和他那几百美元奖金、8700万日元和解金之间的落差，恰恰是这一章想留给读者的东西16。这本书反复在讲一件事：诺贝尔奖偏爱漂亮的物理原理，市场偏爱可量产的产品，而决定历史的，常常是底下那些不起眼的取舍和使能技术。闪存这一章把这条线推到了极端——决定一切的，不是什么深奥的物理（浮栅的原理1967年就有了3），而是舛冈一个看似微小的工程取舍：放弃单字节擦除，把每比特从两个晶体管砍到一个8。就这一刀，划开了一个万亿比特的时代。

而做出这一刀的人，被自己的公司雪藏、被试图降职、被对外否认。他要靠周末偷偷做实验把发明养活，靠一场罕见的官司讨回不到十分之一的对价20。当全世界每一块存储卡、每一根U盘、每一块固态硬盘、每一部手机里都躺着他那个“一比特一个晶体管”的单元时，他个人从这个庞大产业里分到的，是几百美元起步、8700万日元收尾。

下一章要从明星器件转向地基——那些让芯片得以存在的、更不起眼的东西：单晶硅怎么从熔炉里拉出来，硅怎么提纯到接近完美，杂质怎么精确地掺进去，做好的芯片又怎么封装起来送到世界各地（第12章）。舛冈赌的那条“晶体管不停缩小、成本不停下降”的曲线，能跑这么久、跑这么远，靠的正是这些藏在幕后的使能层。明星器件决定了我们记住谁的名字，使能层决定了产业能走多远——而舛冈富士雄的委屈在于，他两样都贡献了，却两样都没真正分到。

参考文献

  1. IEEE Spectrum, “Chip Hall of Fame: Toshiba NAND Flash Memory,” 2017. 确认舛冈富士雄为闪存（NOR 1984 / NAND）发明人，1971 年起在东芝；其发明被英特尔抢得名声。链接 →（B 级 · IEEE 深度报道）

  2. All About Circuits, “Historical Engineers: Dr. Fujio Masuoka, the Unsung Father of Flash,” 2020（亦见 techovedas 转述）。东芝公关部门曾对《福布斯》称闪存系英特尔发明。原始 Forbes 报道未直接核到，此条为二手科技媒体转述，正文作开场钩子，未引 Forbes 原文措辞。链接 →（C 级 · 二手转述 · 存疑点 G2）

  3. “Flash memory,” Wikipedia. 浮栅 MOSFET 由姜大元（Dawon Kahng）与施敏（Simon Sze）1967 年在贝尔发明，栅极被氧化层包住困住电荷、断电不丢，是非易失存储的物理基础。链接 →（B/C 级 · 高引百科，与本书第 5 章一致）

  4. Computer History Museum, “1971: Reusable Programmable ROM,” The Silicon Engine；National Inventors Hall of Fame, “Dov Frohman.” EPROM 由英特尔多夫·弗罗曼 1971 年发明（Intel 1702，2048-bit；US Patent 3,660,819, 1972），擦除靠紫外线灯透过石英窗照射（约二十分钟为通行量级）。链接 →（B 级 · 机构史料）

  5. IEEE Spectrum, “Chip Hall of Fame: Toshiba NAND Flash Memory,” 2017. 传统 EEPROM 为实现按单字节擦写，每个存储单元用两个晶体管，硅面积大、成本高（对照舛冈的单晶体管方案）。链接 →（B 级 · IEEE 报道）

  6. “Fujio Masuoka,” Wikipedia. 1943-05-08 生于群马县高崎市；1966 东北大学工学学士、1971 博士、同年进东芝；早年做 SAMOS、1976 双层多晶硅 DRAM、1977 转半导体业务部门做 1Mb DRAM。链接 →（B 级 · 高引百科 · 逐项核对）

  7. “Fujio Masuoka,” Wikipedia. 闪存核心专利由舛冈 1980 年与同事饭塚肇（Hisakazu Iizuka）一起申请。链接 →（B 级 · 高引百科）

  8. IEEE Spectrum, “Chip Hall of Fame: Toshiba NAND Flash Memory,” 2017. 舛冈放弃 EEPROM 单字节擦、改整片/整块擦，使每单元从两个晶体管减为一个；直引其言 “We knew the cost of the chip would keep going down as long as transistors shrank in size.”链接 →（B 级 · IEEE 报道，含原话引文）

  9. IEEE Spectrum, “Chip Hall of Fame: Toshiba NAND Flash Memory,” 2017. 八十年代东芝资源压在 DRAM 上；舛冈 1980 起以“半秘密”方式带四名工程师推进，上司“叫他把这个想法擦掉”；“夜里周末未经许可自做研究”为含 All About Circuits 在内的多源叙事，正文以转述呈现。链接 →（B 级 · 带叙事色彩）

  10. “Fujio Masuoka,” Wikipedia（论文题目）；IEEE Spectrum 2017。1984 年（12 月）旧金山 IEDM，舛冈发表《A new flash EEPROM cell using triple polysilicon technology》，首批芯片仅 8,192 字节（8KB）——即后来的 NOR 闪存。链接 →（B 级 · 高引百科+IEEE · 存疑点 G5：以 IEDM 论文题目统一口径）

  11. “Fujio Masuoka,” Wikipedia. “flash”之名出于偶然：整片瞬间抹除让同事相沢俊治（Shoji Ariizumi）联想到相机闪光灯，遂提议此名。链接 →（B 级 · 高引百科）

  12. IEEE Spectrum, “Chip Hall of Fame: Toshiba NAND Flash Memory,” 2017；“Flash memory,” Wikipedia. 分期澄清：1984 旧金山 IEDM 为 NOR；1987 同在旧金山 IEDM 发表 NAND，其后东芝 NAND 商业化展开。东芝 NAND 上市年份各源不一（IEEE Spectrum 作 1989 上市，eWeek 等作 1987 launched），正文已收窄并将量产放行系于 1989（见条目 15）。链接 →（B 级 · IEEE/百科 · 存疑点 G5）

  13. “Flash memory,” Wikipedia. NOR 每单元一端接位线、可随机快速读、宜作 XIP（execute in place）存固件/启动代码、密度低每比特贵；NAND 单元串联、去外部地址/数据总线、密度高每比特廉、按页/块读写擦、宜大容量存储。链接 →（B 级 · 高引百科）

  14. S. Lai et al., “Brief history of ETOX NOR flash memory”（PubMed 23421121）；“Development of ETOX NOR Flash Memory”（75th Anniv. of the Transistor, IEEE）。英特尔 NOR 基于 ETOX（EPROM Tunnel Oxide）单元，源头追至弗罗曼 1971 EPROM，斯特凡·赖（Stefan Lai）为关键人物；只能整块擦、不能按单字节擦。链接 →（B 级 · IEEE 史料）

  15. IEEE Spectrum, “Chip Hall of Fame: Toshiba NAND Flash Memory,” 2017；“Flash memory,” Wikipedia. 1988 年英特尔发布首款商用闪存（256kbit NOR）；其商业成功促使东芝 1989 年回头量产舛冈的 NAND。具体型号（常记 28F256）、“1988-02 ISSCC”、“每兆约千美元”各源略有出入，正文未钉死型号、以约数表述。链接 →（B 级 · IEEE/百科 · 存疑点 G4）

  16. All About Circuits, “Historical Engineers: Dr. Fujio Masuoka, the Unsung Father of Flash,” 2020（亦见 techovedas）。舛冈因闪存仅得“几百美元”奖金，东芝还曾试图将其降职。缺一手档案精确佐证，正文明确标注为二手转述，未当确证写死。链接 →（C 级 · 二手转述 · 存疑点 G1）

  17. “Fujio Masuoka,” Wikipedia. 1994 年舛冈离开东芝，回母校东北大学任教授。链接 →（B 级 · 高引百科）

  18. UPI, “Flash memory inventor sues for $9 million,” 2004-03-02；Network World, “Toshiba faces claim from flash memory inventor.” 2004 年舛冈起诉东芝索发明补偿，与同期中村修二诉日亚化学蓝光 LED 案（第 16 章）同属一股潮流。链接 →（B 级 · 通讯社/行业媒体）

  19. The Register, “Toshiba settles spat with Flash memory inventor,” 2006-07-31. 舛冈主张其发明 1984–2003 年为东芝带来约 200 亿日元（¥20bn）利润，索 10 亿日元（¥1bn，约 $9.1m≈910 万美元）补偿。链接 →（B 级 · 行业媒体）

  20. The Register, “Toshiba settles spat with Flash memory inventor,” 2006-07-31. 2006-07-31 双方和解，东芝付 8700 万日元（¥87m，约 $758,000≈75.8 万美元），不到索赔十分之一；和解措辞 “no longer any outstanding issues or liabilities between them in respect of these employee’s inventions.”链接 →（B 级 · 行业媒体，含引文）

  21. “Fujio Masuoka,” Wikipedia；“Multi-gate MOSFET.” 1988 年舛冈在东芝领导团队演示 SGT（Surrounding Gate Transistor，环绕栅晶体管），栅极四面环绕沟道，是最早的非平面三维/全环绕栅（GAA）晶体管之一（呼应第 20 章 FinFET→GAA）。链接 →（B 级 · 高引百科）

  22. “Fujio Masuoka,” Wikipedia；Unisantis Electronics, “Surrounding Gate Transistor.” 舛冈 2004 年起任 Unisantis Electronics CTO，继续追基于 SGT 的三维晶体管（垂直纳米线 GAA FET）。链接 →（B 级 · 高引百科+公司页）

  23. Samsung Global Newsroom, “Samsung Starts Mass Producing Industry’s First 3D Vertical NAND Flash,” 2013-08. 首代 3D V-NAND 为 24 层、128Gb、基于 3D 电荷陷阱（CTF），系 MLC（2-bit/cell）；可靠性比 10 纳米级平面浮栅 NAND 高 2 到 10 倍、写入性能翻倍。★更正：原稿作“128Gbit，TLC”并括注“三星官方强调 3-bit”有误——业界首款 3-bit/TLC V-NAND 是 2014-10 第二代（32 层）的里程碑（见 Samsung 2014-10 新闻稿）；已将正文 TLC 改为 MLC（2-bit）并补明 TLC 系 2014 年第二代才量产。“24 层”为三星官方数字（EE Times “Samsung Confirms 24 Layers”）。链接 →（A 级 · 厂商官方新闻稿 · 含事实更正 · 存疑点 G3）

  24. “Flash memory,” Wikipedia；KIOXIA 公司史。现役旗舰 3D NAND 已堆至两三百层（“两三百层”为当前量级约数）；东芝存储 2018 年分拆为铠侠（Kioxia）；主要玩家为三星、铠侠、美光、SK 海力士——发明在日本东芝、首个商用品出自美国英特尔、量产东移与产能集中。链接 →（B 级 · 高引百科+公司史）

  25. “Fujio Masuoka,” Wikipedia. 荣誉：IEEE Morris N. Liebmann 纪念奖（1997）、紫绶褒章（Medal with Purple Ribbon, 2007）、文化功劳者（Person of Cultural Merit, 2013）、瑞宝章金银重光章（Order of the Sacred Treasure, 2016）、本田奖（2018）；技术史普遍承认其为“闪存之父”。链接 →（B 级 · 高引百科）